三星第9代V-NAND QLC量產時間或推遲至2026H1：存在設計缺陷影響性能

去年4月，三星正式開始量產第9代V-NAND閃存，首批提供的是容量為1Tb的TLC閃存。到了9月，三星宣布啟動新款第9代V-NAND閃存的量產工作，屬于其首款1Tb的QLC（四層單元）閃存，主要為了迎合企業級SSD市場呈現日益增長的趨勢。

據TrendForce報道，多個消息源的信息表明，第9代V-NAND QLC閃存存在設計缺陷，導致出現性能問題，三星不得不將大規模生產的時間延后，推遲到2026年上半年。對于三星陷入困境的存儲器業務來說，這又是一個重大打擊。

三星的第9代V-NAND技術達到了290層，相比第8代V-NAND閃存的236層有了進一步的提高。隨著近期主要云端服務供應商增加人工智能（AI）基礎設施并轉向高性能AI推理，對大容量存儲的需求不斷攀升，三星也希望通過更高存儲密度的QLC SSD產品來滿足市場的需求。雖然三星仍然主導了NAND閃存市場，但是在QLC領域卻是落后的，旗艦QLC閃存產品僅停留在第7代V-NAND技術，層數為176層，而且沒有發布第8代V-NANDQLC閃存產品。

上個月SK海力士宣布已開發出321層2Tb QLCNAND閃存產品，并開始量產。這是全球范圍內首個300層以上的QLC NAND閃存，在現有的NAND閃存產品中擁有最高的集成度，計劃2026年上半年正式進入AI數據中心市場。也就是說，三星第9代V-NAND QLC閃存即便在明年上半年實現量產，大概率技術方面還是落后于SK海力士。考慮到最近SK海力士在存儲器領域的強勢，對三星可是相當不利。

今年初，三星展示了即將發布第10代V-NAND閃存，總層數超過了400層，但是至今沒有提供具體的量產時間表。